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中国半导体再传好消息:存储芯片将月产30万片!有望逾越美日韩

2020-06-22 发布于 无棣新媒体
 

中国半导体领域近日再度传来好消息。据观察者网6月22日援引海内巨头紫光集团最新消息,总投资240亿美元的长江存储国度存储器基地,其二期(土建)项目目前已在武汉东湖高新区开工,规划每月生产20万片存储芯片产物,达产后与一期项目合计月产能将达30万片。这也意味着,中国将在存储芯片领域进一步降低对外依存度。

据悉,长江存储国度存储器基地项目分两期建设3D NAND闪存芯片工场,其中,项目一期目前已实现32层、64层存储芯片产物的稳定量产。不只云云,在64层3D NAND闪存量产7个月后,长江存储本年4月还宣布新的研发进展——跳过96层,乐成研制出业内已知型号产物中最高单元面积存储密度、最高I/O传输速率和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。

有机构就预计,此举将让中国与美日韩芯片巨头的技能差距缩小1到2年,实现弯道超车。另外,有业内人士还指出,基于长江存储一期项目的突破,届时其全球占率将到达5%左右。

最佳配资现实上,长江存储的突破对我国相干行业也存在着巨大的利好。存储器是信息体系的基础焦点芯片,也是中国入口金额最大的集成电路产物,但近些年,国际市场内存、固态硬盘、显卡代价不停上涨,缘故原由在于存储芯片掌握在少数外洋厂家手中。

客岁5月,有外媒就曾表示,长江存储进入64层闪存市场的脚步已经势不可挡,在其大范围生产之后,2020年全球64层3D NAND市场的竞争无疑将变得越发猛烈,对于美日韩的芯片巨头来说,其代价预计也将变得“丢脸”。换句话说,存储芯片国产化将有利于降低海内半导体产物的成本、挣脱对外依赖,并进一步打破美日韩的垄断。

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